메모리

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 메모리 유형 메모리 형식 기술 메모리 크기 메모리 구성 메모리 인터페이스 클럭 주파수 쓰기 사이클 시간 - 워드, 페이지 액세스 시간 전압 - 공급 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

전체 초기화
전체 적용
결과
사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 프로그래밍 가능 메모리 유형 메모리 형식 기술 메모리 크기 메모리 구성 메모리 인터페이스 클럭 주파수 쓰기 사이클 시간 - 워드, 페이지 액세스 시간 전압 - 공급 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지
MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A

MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A

IC DRAM 32GBIT FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT53E1G32D2NP-053 RS WT:A데이터시트 - - Bulk Obsolete Not Verified - DRAM SDRAM - Mobile LPDDR4 32Gbit 1G x 32 - - - - - - - - - -
MT40A4G4VA-062EPS:B

MT40A4G4VA-062EPS:B

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A4G4VA-062EPS:B데이터시트 - 78-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 4G x 4 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (10x11)
MT40A4G4SA-062E PS:F

MT40A4G4SA-062E PS:F

IC DRAM 16GBIT PAR 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A4G4SA-062E PS:F데이터시트 - 78-TFBGA Bulk Active Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 4G x 4 Parallel 1.5 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (7.5x11)
MT40A2G8NEA-062E:J

MT40A2G8NEA-062E:J

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A2G8NEA-062E:J데이터시트 - 78-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 2G x 8 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (7.5x11)
MT40A2G8NEA-062E:J TR

MT40A2G8NEA-062E:J TR

IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A2G8NEA-062E:J TR데이터시트 - 78-TFBGA Tape & Reel (TR) Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 16Gbit 2G x 8 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (7.5x11)
MT40A2G4SA-062EPS:J

MT40A2G4SA-062EPS:J

IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A2G4SA-062EPS:J데이터시트 - 78-TFBGA Bulk Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 8Gbit 2G x 4 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (7.5x11)
MT40A256M16TB-062E:G

MT40A256M16TB-062E:G

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A256M16TB-062E:G데이터시트 - 96-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 4Gbit 256M x 16 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 96-FBGA (7.5x13)
MT40A1G4SA-062E:G

MT40A1G4SA-062E:G

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A1G4SA-062E:G데이터시트 - 78-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 4Gbit 1G x 4 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (7.5x11)
MT40A512M8SA-062E:G

MT40A512M8SA-062E:G

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA

Micron Technology Inc.

0
RFQ
MT40A512M8SA-062E:G데이터시트 - 78-TFBGA Tray Obsolete Not Verified Volatile DRAM SDRAM - DDR4 4Gbit 512M x 8 Parallel 1.6 GHz 15ns 19 ns 1.14V ~ 1.26V 0°C ~ 95°C (TC) - - Surface Mount 78-FBGA (7.5x11)
R1EV5801MBTDRDI#B0

R1EV5801MBTDRDI#B0

IC EEPROM 1MBIT PAR 32TSOP I

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV5801MBTDRDI#B0데이터시트 R1EV5801MB 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 1Mbit 128K x 8 Parallel - 10ms 150 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 32-TSOP I
R1EV58256BSCNBI#B2

R1EV58256BSCNBI#B2

IC EEPROM 256KBIT PARALLEL 28SOP

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58256BSCNBI#B2데이터시트 R1EV58256BxxN 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 10ms 85 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-SOP
R1EV58064BTCRBI#B2

R1EV58064BTCRBI#B2

IC EEPROM 64KBIT PAR 28TSOP I

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58064BTCRBI#B2데이터시트 R1EV58064BxxR 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 10ms 100 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-TSOP I
R1EV58064BDARBI#B2

R1EV58064BDARBI#B2

IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58064BDARBI#B2데이터시트 R1EV58064BxxR 28-DIP (0.600", 15.24mm) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 10ms 100 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 28-DIP
R1EV58256BTDRBI#B2

R1EV58256BTDRBI#B2

IC EEPROM 256KBIT PAR 32TSOP I

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58256BTDRBI#B2데이터시트 R1EV58256BxxR 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 10ms 85 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 32-TSOP I
R1EV58256BDANBI#B2

R1EV58256BDANBI#B2

IC EEPROM 256KBIT PARALLEL 28DIP

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58256BDANBI#B2데이터시트 R1EV58256BxxN 28-DIP (0.600", 15.24mm) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 10ms 85 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 28-DIP
R1EV58256BTCNBI#B2

R1EV58256BTCNBI#B2

IC EEPROM 256KBIT PAR 28TSOP I

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58256BTCNBI#B2데이터시트 R1EV58256BxxN 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 256Kbit 32K x 8 Parallel - 10ms 85 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-TSOP I
R1EV58064BDANBI#B2

R1EV58064BDANBI#B2

IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58064BDANBI#B2데이터시트 R1EV58064BxxN 28-DIP (0.600", 15.24mm) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 10ms 100 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Through Hole 28-DIP
R1EV58064BTCNBI#B2

R1EV58064BTCNBI#B2

IC EEPROM 64KBIT PAR 28TSOP I

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58064BTCNBI#B2데이터시트 R1EV58064BxxN 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 10ms 100 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-TSOP I
R1EV58064BSCNBI#B2

R1EV58064BSCNBI#B2

IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOP

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58064BSCNBI#B2데이터시트 R1EV58064BxxN 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 10ms 100 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-SOP
R1EV58064BSCRBI#B2

R1EV58064BSCRBI#B2

IC EEPROM 64KBIT PARALLEL 28SOP

Renesas Electronics Corporation

0
RFQ
R1EV58064BSCRBI#B2데이터시트 R1EV58064BxxR 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Tray Obsolete Not Verified Non-Volatile EEPROM EEPROM 64Kbit 8K x 8 Parallel - 10ms 100 ns 2.7V ~ 5.5V -40°C ~ 85°C (TA) - - Surface Mount 28-SOP

카테고리 개요

메모리 제품 및 선택 가이드

메모리 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 메모리 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 메모리 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

Masstock Electronics

검색

Masstock Electronics

제품

Masstock Electronics

전화

Masstock Electronics

사용자

Masstock Electronics Masstock Electronics Masstock Electronics
WHATSAPP

+86 13760362468

Masstock Electronics