단일 IGBT

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전력 - 최대 스위칭 에너지 입력 유형 게이트 충전 Td(켜짐/꺼짐) @ 25°C 테스트 조건 역방향 복구 시간(trr) 작동 온도 등급 자격 장착 유형 공급자 장치 패키지

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APT40GP60BG

APT40GP60BG

IGBT PT 600V 100A TO247

Microchip Technology

9,603
RFQ
APT40GP60BG데이터시트 POWER MOS 7® TO-247-3 Tube Active PT 600 V 100 A 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W 385µJ (on), 352µJ (off) Standard 135 nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT40GP60B2DQ2G

APT40GP60B2DQ2G

IGBT PT 600V 100A

Microchip Technology

8,713
RFQ
APT40GP60B2DQ2G데이터시트 POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 100 A 160 A 2.7V @ 15V, 40A 543 W 385µJ (on), 350µJ (off) Standard 135 nC 20ns/64ns 400V, 40A, 5Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
APT70GR120L

APT70GR120L

IGBT NPT 1200V 160A TO264

Microchip Technology

4,755
RFQ
APT70GR120L데이터시트 - TO-264-3, TO-264AA Tube Active NPT 1200 V 160 A 280 A 3.2V @ 15V, 70A 961 W 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Standard 544 nC 33ns/278ns 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264
APT70GR120B2

APT70GR120B2

IGBT NPT 1200V 160A TO247

Microchip Technology

3,639
RFQ
APT70GR120B2데이터시트 - TO-247-3 Tube Active NPT 1200 V 160 A 280 A 3.2V @ 15V, 70A 961 W 3.82mJ (on), 2.58mJ (off) Standard 544 nC 33ns/278ns 600V, 70A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247
IXXX140N65B4H1

IXXX140N65B4H1

IGBT

IXYS

9,932
RFQ
IXXX140N65B4H1데이터시트 XPT™, GenX4™ TO-247-3 Variant Tube Active - 650 V 340 A 840 A 1.9V @ 15V, 120A 1200 W 5.75mJ (on), 2.67mJ (off) Standard 250 nC 54ns/270ns 400V, 100A, 4.7Ohm, 15V 105 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1

IGBT PT 650V 225A PLUS247-3

IXYS

4,742
RFQ
IXYX100N65B3D1데이터시트 GenX3™, XPT™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 650 V 225 A 460 A 1.85V @ 15V, 70A 830 W 1.27mJ (on), 1.37mJ (off) Standard 168 nC 29ns/150ns 400V, 50A, 3Ohm, 15V 156 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole PLUS247™-3
IXXK200N60B3

IXXK200N60B3

IGBT 600V 380A 1630W TO264

IXYS

7,913
RFQ
IXXK200N60B3데이터시트 GenX3™, XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 380 A 900 A 1.7V @ 15V, 100A 1630 W 2.85mJ (on), 2.9mJ (off) Standard 315 nC 48ns/160ns 360V, 100A, 1Ohm, 15V - -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXXK)
IXBT2N250-TR

IXBT2N250-TR

IGBT 2500V 5A TO268

IXYS

7,342
RFQ
IXBT2N250-TR데이터시트 BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active - 2500 V 5 A 13 A 3.5V @ 15V, 2A 32 W - Standard 10.6 nC 30ns/70ns 2000V, 2A, 47Ohm, 15V 920 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268
IXBT42N170-TRL

IXBT42N170-TRL

IGBT 1700V 80A TO268

IXYS

2,970
RFQ
IXBT42N170-TRL데이터시트 BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tape & Reel (TR) Active - 1700 V 80 A 300 A 2.8V @ 15V, 42A 360 W - Standard 188 nC 37ns/340ns 850V, 42A, 10Ohm, 15V - - - - Surface Mount TO-268
APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G

IGBT PT 600V 150A

Microchip Technology

6,824
RFQ
APT50GP60B2DQ2G데이터시트 POWER MOS 7® TO-247-3 Variant Tube Active PT 600 V 150 A 190 A 2.7V @ 15V, 50A 625 W 465µJ (on), 635µJ (off) Standard 165 nC 19ns/85ns 400V, 50A, 4.3Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
IXYK30N170CV1

IXYK30N170CV1

DISC IGBT XPT-HI VOLTAGE TO-264(

IXYS

7,212
RFQ
IXYK30N170CV1데이터시트 XPT™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 1700 V 100 A 250 A 4V @ 15V, 30A 937 W 3.6mJ (on), 1.8mJ (off) Standard 150 nC 16ns/143ns 850V, 30A, 2.7Ohm, 15V 33 ns -55°C ~ 175°C (TJ) - - Through Hole TO-264 (IXYK)
IXGX50N60AU1

IXGX50N60AU1

IGBT 600V 75A 300W TO247

IXYS

5,589
RFQ
IXGX50N60AU1데이터시트 HiPerFAST™ TO-247-3 Tube Obsolete - 600 V 75 A 200 A 2.7V @ 15V, 50A 300 W 4.8mJ (off) Standard 200 nC 50ns/200ns 480V, 50A, 2.7Ohm, 15V 50 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247AD
IXBT24N170

IXBT24N170

IGBT 1700V 60A TO268AA

IXYS

4,307
RFQ
IXBT24N170데이터시트 BIMOSFET™ TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Tube Active - 1700 V 60 A 230 A 2.5V @ 15V, 24A 250 W - Standard 140 nC - - 1.06 µs -55°C ~ 150°C (TJ) - - Surface Mount TO-268AA
IXGX55N120A3H1

IXGX55N120A3H1

IGBT 1200V 125A 460W PLUS247

IXYS

2,769
RFQ
IXGX55N120A3H1데이터시트 GenX3™ TO-247-3 Variant Tube Active PT 1200 V 125 A 400 A 2.3V @ 15V, 55A 460 W 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) Standard 185 nC 23ns/365ns 960V, 55A, 3Ohm, 15V 200 ns - - - Through Hole PLUS247™-3
APT50GS60BRDQ2G

APT50GS60BRDQ2G

IGBT NPT 600V 93A TO247

Microchip Technology

6,927
RFQ
APT50GS60BRDQ2G데이터시트 Thunderbolt IGBT® TO-247-3 Tube Active NPT 600 V 93 A 195 A 3.15V @ 15V, 50A 415 W 755µJ (off) Standard 235 nC 16ns/225ns 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 25 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-247 [B]
APT102GA60L

APT102GA60L

IGBT PT 600V 183A TO264

Microchip Technology

8,325
RFQ
APT102GA60L데이터시트 - TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 600 V 183 A 307 A 2.5V @ 15V, 62A 780 W 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Standard 294 nC 28ns/212ns 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole TO-264 [L]
APT102GA60B2

APT102GA60B2

IGBT 600V 183A 780W TO247

Microchip Technology

2,847
RFQ
APT102GA60B2데이터시트 POWER MOS 8™ TO-247-3 Variant Tube Obsolete PT 600 V 183 A 307 A 2.5V @ 15V, 62A 780 W 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) Standard 294 nC 28ns/212ns 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V - -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole -
APT80GA90LD40

APT80GA90LD40

IGBT PT 900V 145A TO264

Microchip Technology

3,262
RFQ
APT80GA90LD40데이터시트 POWER MOS 8™ TO-264-3, TO-264AA Tube Active PT 900 V 145 A 239 A 3.1V @ 15V, 47A 625 W 1652µJ (on), 1389µJ (off) Standard 200 nC 18ns/149ns 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V 25 ns - - - Through Hole TO-264
IGC70T120T8RQ

IGC70T120T8RQ

IGBT 1200V 75A DIE

Infineon Technologies

5,766
RFQ
IGC70T120T8RQ데이터시트 - Die Bulk Discontinued at Digi-Key Trench Field Stop 1200 V - 225 A 2.42V @ 15V, 75A - - Standard - - - - - - - Surface Mount Die
IXGR24N120C3D1

IXGR24N120C3D1

IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247

IXYS

9,046
RFQ
IXGR24N120C3D1데이터시트 GenX3™ TO-247-3 Tube Active PT 1200 V 48 A 96 A 4.2V @ 15V, 20A 200 W 1.37mJ (on), 470µJ (off) Standard 79 nC 16ns/93ns 600V, 20A, 5Ohm, 15V 220 ns -55°C ~ 150°C (TJ) - - Through Hole ISOPLUS247™
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카테고리 개요

단일 IGBT 제품 및 선택 가이드

단일 IGBT 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 단일 IGBT 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 단일 IGBT 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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