IGBT 모듈

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지
FZ3600R17HP4HOSA2

FZ3600R17HP4HOSA2

IGBT MODULE 1700V 3600A

Infineon Technologies

2
RFQ
FZ3600R17HP4HOSA2데이터시트 IHM-B Module Tray Not For New Designs Trench Single Switch 1700 V 3600 A 21000 W 2.25V @ 15V, 3600A 5 mA 295 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C Chassis Mount Module
FZ3600R12KE3NOSA1

FZ3600R12KE3NOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

6
RFQ
FZ3600R12KE3NOSA1데이터시트 - Module Bulk Active - Single Switch 1200 V 4700 A 15000 W 2.15V @ 15V, 3.6kA 5 mA 260 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-IHM190-2-1
FZ3600R17KE3

FZ3600R17KE3

IGBT MODULE

Infineon Technologies

2
RFQ
FZ3600R17KE3데이터시트 - Module Bulk Active - Single Switch 1700 V - 350 W 2.45V @ 3.6kA, 15V 5 mA 3.3 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-IHM190-2-1
FZ1500R33HL3BPSA3

FZ1500R33HL3BPSA3

FZ1500R33 - INSULATED GATE BIPOL

Infineon Technologies

24
RFQ
FZ1500R33HL3BPSA3데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FD16001200R17KF6CB2NOSA1

FD16001200R17KF6CB2NOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

22
RFQ
FD16001200R17KF6CB2NOSA1데이터시트 - Module Bulk Active - Single Switch 1700 V 2600 A - 3.1V @ 15V, 1.6kA 5 mA 105 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 125°C (TJ) Chassis Mount AG-ECONO2B
FD250R65KE3KNOSA1

FD250R65KE3KNOSA1

IGBT MOD 6500V 250A 4800W

Infineon Technologies

5,076
RFQ
FD250R65KE3KNOSA1데이터시트 - Module Bulk Active - Single 6500 V 250 A 4800 W 3.4V @ 15V, 250A 5 mA 69 nF @ 25 V Standard No -50°C ~ 125°C Chassis Mount Module
FZ1400R33HE4BPSA1

FZ1400R33HE4BPSA1

IGBT MODULE DIODE HVB130-3

Infineon Technologies

9,839
RFQ
FZ1400R33HE4BPSA1데이터시트 - Module Bulk Active Trench Field Stop 2 Independent 3300 V 1400 A - 2.3V @ 15V, 1400A (Typ) 5 mA 187 nF @ 25 V Single Phase Bridge Rectifier No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount Module
FD200R65KF2-K

FD200R65KF2-K

IGBT MODULE

Infineon Technologies

22
RFQ
FD200R65KF2-K데이터시트 - Module Bulk Active - Single Chopper 3600 V 200 A 380000 W 4.9V @ 15V, 200A 200 µA 28 nF @ 25 V Standard No 125°C (TJ) Chassis Mount -
IFF2400P17AE4BPSA1

IFF2400P17AE4BPSA1

IGBT MODULE 1700V IPM MIPAQP-4

Infineon Technologies

7,968
RFQ
IFF2400P17AE4BPSA1데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Half Bridge 1700 V - - - - - - No -40°C ~ 65°C (TA) - Module
FSBF15CH60BT-F166

FSBF15CH60BT-F166

POWER DRIVER MODULE IGBT 600V 15

onsemi

55
RFQ
FSBF15CH60BT-F166데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FMM7G50US60N

FMM7G50US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

39
RFQ
FMM7G50US60N데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 50 A 139 W 2.7V @ 15V, 50A 250 µA 3.565 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM6G30US60

FMM6G30US60

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

34
RFQ
FMM6G30US60데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G20US60I

FMM7G20US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

34
RFQ
FMM7G20US60I데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 20 A 89 W 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G30US60N

FMM7G30US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

31
RFQ
FMM7G30US60N데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G50US60I

FMM7G50US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

31
RFQ
FMM7G50US60I데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 50 A 139 W 2.7V @ 15V, 50A 250 µA 3.565 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G20US60N

FMM7G20US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

22
RFQ
FMM7G20US60N데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 20 A 89 W 2.7V @ 15V, 20A 250 µA 1.277 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FMM7G30US60I

FMM7G30US60I

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Fairchild Semiconductor

17
RFQ
FMM7G30US60I데이터시트 - Module Bulk Obsolete - Three Phase Inverter with Brake 600 V 30 A 104 W 2.7V @ 15V, 30A 250 µA 2.1 nF @ 30 V Three Phase Bridge Rectifier Yes -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole -
FP10R12W1T7B11BOMA1

FP10R12W1T7B11BOMA1

LOW POWER EASY

Infineon Technologies

24
RFQ
FP10R12W1T7B11BOMA1데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06W1E3B11BOMA1

FP30R06 - IGBT MODULE

Infineon Technologies

58
RFQ
FP30R06W1E3B11BOMA1데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FP15R12W1T4PB11BPSA1

FP15R12W1T4PB11BPSA1

1200 V, 15 A PIM IGBT MODULE

Infineon Technologies

22
RFQ
FP15R12W1T4PB11BPSA1데이터시트 * - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
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카테고리 개요

IGBT 모듈 제품 및 선택 가이드

IGBT 모듈 제품은 산업 자동화, 자동차 전자, 통신 장비, 소비자 전자, 신에너지 및 다양한 전자 시스템에 널리 사용됩니다. 여러 제조사, 패키지 및 사양의 제품을 제공하여 엔지니어와 구매 담당자가 필요한 부품을 쉽게 비교하고 선택할 수 있습니다.

제조사, 주요 파라미터, 재고 및 Datasheet 정보를 기준으로 IGBT 모듈 제품을 필터링할 수 있습니다. 원하는 모델을 찾지 못한 경우 문의를 보내 주시면 재고, 납기 및 대체품 확인을 도와드립니다.

FAQ

적합한 IGBT 모듈 제품은 어떻게 선택하나요?

전기적 특성, 패키지, 동작 온도, 적용 환경 및 제조사 요구사항을 먼저 확인한 후 재고와 납기를 함께 비교하는 것이 좋습니다.

표시된 재고로 바로 구매할 수 있나요?

재고는 공급 상황에 따라 변동될 수 있습니다. 프로젝트 또는 대량 구매의 경우 문의를 통해 실제 재고, 가격 및 납기를 확인하는 것을 권장합니다.

원하는 모델이 없으면 어떻게 하나요?

부품 번호와 수량을 보내 주시면 부족 부품을 확인하고 주요 파라미터를 기준으로 적합한 대체품을 제안해 드릴 수 있습니다.

Datasheet와 기술 자료를 제공하나요?

예. 제품 목록의 Datasheet 링크에서 관련 자료를 확인할 수 있으며, 자료가 없는 경우 별도로 문의해 주시면 확인을 도와드립니다.

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