IGBT 모듈

제조사 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지

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사진 제조사 부품번호 재고 여부 가격 수량 데이터시트 시리즈 패키지/케이스 패키징 제품 상태 IGBT 유형 구성 전압 - 콜렉터 에미터 브레이크다운(최대) 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) 전력 - 최대 Vce(on) (최대) @ Vge, Ic 전류 - 콜렉터 차단(최대) 입력 커패시턴스(Cies) @ Vce 입력 NTC 서미스터 작동 온도 장착 유형 공급자 장치 패키지
BSM50GD120DN2B10BOSA1

BSM50GD120DN2B10BOSA1

IGBT MODULE

Infineon Technologies

6,123
RFQ
BSM50GD120DN2B10BOSA1데이터시트 - - Bulk Obsolete - - - - - - - - - - - - -
FS300R17OE4B61BPSA1

FS300R17OE4B61BPSA1

FS300R17OE4 - IGBT Module

Infineon Technologies

1
RFQ
FS300R17OE4B61BPSA1데이터시트 - - Bulk Active - - - - - - - - - - - - -
FZ2400R12HE4B9NPSA1

FZ2400R12HE4B9NPSA1

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Infineon Technologies

1
RFQ
FZ2400R12HE4B9NPSA1데이터시트 - Module Bulk Active Trench Field Stop Single Switch 1200 V 3560 A 13500 W 2.1V @ 15V, 2.4kA 5 mA 150 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
FZ2400R17HE4B9NPSA1

FZ2400R17HE4B9NPSA1

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Infineon Technologies

1
RFQ
FZ2400R17HE4B9NPSA1데이터시트 - Module Bulk Active - Single Switch 1700 V 2400 A 15500 W 2.3V @ 15V, 2.4kA 5 mA 195 nF @ 25 V Standard No -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount -
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